Ausschreibungen ETH Zürich - Abt. Procurement & Export Services

Das Laboratorium für Anorganische Chemie der ETH Zürich plant die Beschaffung eines integrierten UHV-Clusters für gepulste Laserdeposition (PLD) und Sputterdeposition von Heterostrukturen aus Oxid- und Metallschichten. Das System soll die Materialsynthese auf Oxidsubstraten mit einer Fläche von bis zu 10 x 10 mm2 ermöglichen. Es soll aus einer PLD-Kammer, einer Sputterkammer, einer zentralen UHV-Transferkammer und einer Schleusenkammer für den Austausch von Proben und PLD-Targets bestehen, ohne die Prozesskammern zu belüften. Alle Kammern müssen Basisdrücke unter 1 x 10-7 mbar aufweisen. Die PLD-Kammer muss mit einem KrF-Excimerlaser und in-situ Hochdruck-RHEED ausgestattet sein und für routinemässiges epitaktisches Oxidwachstum bei hohen Temperaturen um 1100 °C geeignet sein. Die Sputterkammer muss DC- und RF-Magnetronsputtern von Metall- und Oxidschichten ermöglichen, einschliesslich reaktivem Sputtern in Ar/O₂-Atmosphären, mit Substratheizung bis mindestens 700 °C unter Verwendung eines Probenträgersystems, das mit der PLD-Kammer kompatibel ist. Das System muss den Probentransfer zu einem externen UHV-Transferkoffer ermöglichen und UHV-kompatible Ports für die zukünftige Erweiterung des Clusters vorsehen. Für weitere Details siehe Spezifikationsdokument.

Das Laboratorium für Anorganische Chemie der ETH Zürich plant die Beschaffung eines integrierten UHV-Clusters für gepulste Laserdeposition (PLD) und Sputterdeposition von Heterostrukturen aus Oxid- und Metallschichten. Das System soll die Materialsynthese auf Oxidsubstraten mit einer Fläche von bis zu 10 x 10 mm2 ermöglichen. Es soll aus einer PLD-Kammer, einer Sputterkammer, einer zentralen UHV-Transferkammer und einer Schleusenkammer für den Austausch von Proben und PLD-Targets bestehen, ohne die Prozesskammern zu belüften. Alle Kammern müssen Basisdrücke unter 1 x 10-7 mbar aufweisen. Die PLD-Kammer muss mit einem KrF-Excimerlaser und in-situ Hochdruck-RHEED ausgestattet sein und für routinemässiges epitaktisches Oxidwachstum bei hohen Temperaturen um 1100 °C geeignet sein. Die Sputterkammer muss DC- und RF-Magnetronsputtern von Metall- und Oxidschichten ermöglichen, einschliesslich reaktivem Sputtern in Ar/O₂-Atmosphären, mit Substratheizung bis mindestens 700 °C unter Verwendung eines Probenträgersystems, das mit der PLD-Kammer kompatibel ist. Das System muss den Probentransfer zu einem externen UHV-Transferkoffer ermöglichen und UHV-kompatible Ports für die zukünftige Erweiterung des Clusters vorsehen. Für weitere Details siehe Spezifikationsdokument.

NMR-Spektrometer und Komponenten Ausschreibung der ETH Zürich in 4 Losen: Los 1 / Zwei Cooling Units 500 MHz & 600 MHz NMR (BNSP/D-BIOL) Los 2 / Console, Probe, Shim System und Kühleinheit 500 MHz NMR (LOC/D-CHAB) Los 3 / Console, Probe, Shim System und Sample Changer 400 MHz NMR (IPW/D-CHAB) Los 4 / Probenkopf 400 MHz NMR-Spektrometer (LAC/D-CHAB) Details entnehmen Sie bitte den Ausschreibeunterlagen.

NMR-Spektrometer und Komponenten Ausschreibung der ETH Zürich in 4 Losen:Los 1 / Zwei Cooling Units 500 MHz & 600 MHz NMR (BNSP/D-BIOL)Los 2 / Console, Probe, Shim System und Kühleinheit 500 MHz NMR (LOC/D-CHAB)Los 3 / Console, Probe, Shim System und Sample Changer 400 MHz NMR (IPW/D-CHAB)Los 4 / Probenkopf 400 MHz NMR-Spektrometer (LAC/D-CHAB)Details entnehmen Sie bitte den Ausschreibeunterlagen.

NMR-Spektrometer LAC/ICB/D-MATL 2024: Drei NMR-Spektrometer und ein Dreifach-Resonanz-NMR-Sondenkopf (vier Lose, A-D) 400-MHz-NMR-Spektrometer LOC/D-CHAB 2024: Konsole, Sonde, Shim-System und Probenwechsler für 400-MHz-NMR-Spektrometer (ein Los, Los E)

5-Achs Simultan CNC-Fräsmaschine: Für die Forschung benötigen wir laufend neue und grössere Werkstücke. Wir haben einfache bis komplexe Werkstücke. Diese sollen auch stirnseitig bearbeitet werden können. Ebenfalls möchten wir zukünftig die 5 Achsentechnologie nutzen können, deshalb benötigen wir eine Maschine, welche uns viele Möglichkeiten eröffnet und einfach zu bedienen ist. (via CAM oder direkt an der Maschine) Eine lange Ersatzteilverfügbarkeit ist relevant. Wie auch eine mechanische Auffahrsicherheit im Spindelkopf. Das Angebot soll die Maschine inklusive Starterpaket Werkzeughalter mit Spannmittel und einbringen inklusive Inbetriebnahme und Schulung beinhalten. Dimensionen der Maschine: - Fahrweg X 2500 Y 700 Z 700 (oder mehr) - Störkreis Rundtisch d=1000 (oder mehr) - Abstand Spindelnase geschwenkt, Horizontalbereich 2000, so dass Werkstücke mit einer Länge von 1400mm bearbeitet werden können. - Charakteristische Gesamtflächenlast 15kN/m2 - Maximales Transportgewicht der Maschine, oder Teile davon betragen 16t - Hallentor für LKW 5.0 m x 5.0 m - Hallentor Werkstatt: b 4.0 m, h 3.5 m - Betriebshöhe der Maschine in der Werkstatt 3.6 m Ausführliche Informationen siehe Pflichtenheft.

Laborserviceausführungen für Laborabzüge und Vakuumvernetzung (Los 1) und für Mediensäulen (Los 2) in ca. 1'100 Laborabzügen / ca. 250 laborlokale Vakuumvernetzungen und Laborservice für ca. 4'000 Mediensäulen im Gebäude HCI auf dem Campus Hönggerberg der ETH Zürich in der Stadt Zürich. Weiterführende Informationen siehe Pflichtenheft.

Lieferung einer reaktiven Ionenätzanlage mit induktiv gekoppeltem Plasma, bestehend aus einem Gasversorgungssystem für mindestens 9 Gase, mit Prozessdruck bis 100 mtorr und Gasflüssen bis 500 sccm, RF/ICP-Generatoren im kW-Bereich mit Autotuning, spektroskopischer Überwachung des Plasmas, automatischer Ladeschleuse für schnelle Beladung, für Probengrößen ab 4 Zoll Durchmesser, mit Probentemperaturregelung im Bereich von 10 bis 300 °C.

Lieferung eines Multi-Kollektor ICP-Massenspektrometers mit vorgeschaltetem Massenfilter und Kollisions-/Reaktionszelle für hoch-präzise Isotopenverhältnismessungen an geo- und kosmochemischen Proben am Departement für Erd- und Planetenwissenschaften, ETH Zürich. Weitere Informationen siehe Pflichtenheft.

Dünnschicht-Cluster-Beschichtungsanlage für das Sputtern von Metallen und Dielektrika Clusteranlage mit einer Schleuse und 4 Prozesskammern (PCs) für das DC- und RF-Sputtern von Dielektrika und Metallen auf Halbleiter- und anderen Substraten. Details entnehmen Sie bitte unserer Spezifikation.