Es soll eine halbautomatische Hotplate zur Temperung von mit Resists beschichteten Substraten für
hochauflösende Elektronenstrahllithografie beschafft werden.
Die Anlage dient zur definierten Pre- und Post-bake chemisch verstärkter Resists, wie bspw. FEP171,
bei denen die Empfindlichkeit wesentlich durch das Temperatur Zeit Profil und die Temperatur-Homo
genität bestimmt wird.
Zu prozessierende Substrate umfassen u.a. 300mm-Wafer, sowie rechteckiger Glas-Substrate bis zu L
x B x H = 300mm × 275mm × 15mm.
Aus diesen technischen Randbedingungen ergeben sich die folgenden Anforderungen:, siehe Anlage 2.
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