Zwei kryogenfreie Verdünnungskryostate

Die EPFL beabsichtigt, zwei kryogenfreie Verdünnungskryostate für fortgeschrittene Forschung bei tiefen Temperaturen zu erwerben. Beide Systeme müssen den Betrieb im Millikelvin-Bereich ermöglichen und mit supraleitenden Magneten ausgestattet sein.Das erste System soll ein kryogenfreier Verdünnungskryostat mit großer Kapazität sein, ausgestattet mit einem supraleitenden Vektormagneten, der nominelle Magnetfelder von mindestens 6 T entlang der Hauptachse und 1 T entlang jeder der beiden transversalen Achsen bereitstellt. Dieses System soll außerdem ein Bottom-Loading-System oder ein gleichwertiges System für schnellen Probenwechsel umfassen, das den Austausch von Proben ermöglicht, ohne den gesamten Kryostaten aufzuwärmen, und das Abkühlen des beladenen Probeneinsatzes auf unter 20 mK in weniger als 8 h erlaubt.Das zweite System soll ein kleinerer kryogenfreier Verdünnungskryostat sein, ausgestattet mit einem einachsigen supraleitenden Solenoidmagneten, der ein nominelles Magnetfeld von mindestens 8 T bereitstellt. Dieses System soll einen schnellen experimentellen Durchsatz ermöglichen, mit einer Abkühlzeit von Raumtemperatur auf Basistemperatur von etwa 12 h oder weniger ohne installierten Magneten. Der Anbieter muss die Abkühlzeit mit installiertem Magneten angeben.Die Geräte werden Spitzenforschung an quantenmagnetischen Materialien, supraleitenden Quantenschaltungen, Halbleiter-Quantenbauelementen und hybriden Mikrowellen-Halbleiter-Quantentechnologien unterstützen.Angesichts der Bedürfnisse der EPFL und der spezifischen wissenschaftlichen Ziele der Labore LQM, HQC und LQP wird ein besonderer Schwerpunkt auf die folgenden Forschungsbereiche gelegt:• Korrelierte Elektronenmaterialien, von lokalen Spin-Clustern bis hin zu neuartigen Supraleitern • Halbleiter-Quantensysteme bei Millikelvin-Temperaturen und hohen Magnetfeldern • Supraleitende Quantenschaltungen bei Mikrowellenfrequenzen • Hybride Halbleiter-Supraleiter-Quantenbauelemente • Quantenmaterialien und -bauelemente auf Basis von III-V- und Gruppe-IV-Halbleiterheterostrukturen, supraleitenden Metallen und Josephson-Kontakten